大日本印刷は９日、半導体の回路パターンの形成に使用するナノインプリントリソグラフィ（Ｎａｎｏ−Ｉｍｐｒｉｎｔ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：ＮＩＬ）向けに、１．４ナノメートル（１ｎｍ＝１０億分の１メートル）世代相当のロジック半導体にも対応可能な、回路線幅１０ｎｍのテンプレート（型）を開発したと発表した。
同社によれば、今回開発した線幅１０ｎｍのＮＩＬ用テンプレートは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに加え、スマートフォンやデータセンターなどで使用される最先端ロジック半導体の微細化ニーズに応えるという。半導体のさらなる微細化やコスト削減に向け、ＮＩＬ用テンプレートの一層の開発や需要拡大に対応した生産体制の強化を進め、３０年度にＮＩＬで４０億円の売上増加を目指すという。
９日の終値は、前日比３８．５円高の２６２８．５円。
［ 株式新聞ダイジェスト ］ 提供：ウエルスアドバイザー社
