東レは２７日、ＡＩ（人工知能）半導体に用いられる次世代高帯域幅メモリ（ＨＢＭ）、ＳＳＤなどに用いられるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、ｘＥＶや産業機器に用いられるパワー半導体など、最薄で厚さ３０μｍ以下の超薄膜半導体チップの製造に必要な半導体後工程材料を新たに開発し、サンプルワークを開始したと発表した。
同社では、高耐熱性樹脂であるポリイミドをベースに半導体・ディスプレイ向けの仮貼り材料を開発・量産している。今回、バックグラインド工程向けの仮貼り材料として、同材料を新たに設計・開発し、量産で使用される１２インチサイズのシリコンウェハを用いて、高い均一性でウェハを極限まで薄くできることを実証したとしている。
２７日の終値は、前日比５．５円安の１００８．５円。
［ 株式新聞ダイジェスト ］ 提供：ウエルスアドバイザー社
